芯片界或将“洗牌”？国际巨头开启超车计划，
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国际巨头抢先一步全球芯片界在过去的一年里，发生了非常多件大事，先是台积电，三星先后取得5nm量产工艺。随后美国宣布未经许可的企业，不能给国内特定客户代工和供货芯片。一时间芯片界市场均受此影响，而现如今全球缺芯成为了普遍现象，然而芯片界国际巨头又开启了超车计划。
国际巨头三星展开行动，自从去年第四季度进入到5nm之后，三星就并未停止脚步，并决定越过4nm，直接攻克3nm芯片工艺。
原本业内都以为在3nm的进度上是台积电领先的，毕竟此前台积电表示3nm工艺进展远超预期，可没想到三星抢先一步，亮出了全球首款3nm芯片。
在IEEE 国际固态电路会议上，三星向外界展示了3nm GAE MBCFET芯片的工艺状况，将在FinFET工艺的基础上，升级为全新的3GAE，从而实现3nm芯片的制造。通过这一工艺，三星成功制造出一颗256Gb容量的 SRAM存储芯片。
面积56平方毫米，写入电压只需要0.23V。更低的功耗，以及更具表现力的能效，将提升30%的性能。
谁也没有想到，三星开启超车计划后，动作这么快。带来了3nm存储芯片，后续进一步改善工艺的情况下，或可用于更多应用领域的芯片制造场景。
一直以来，台积电的芯片制造进度都是领先三星的，此次三星率先亮相3nm，看来台积电慢了半拍。那台积电在先进制程的目标和进度是怎样的呢？
可以确定的是，台积电也已经启动了3nm的研发，而且在进度上，台积电董事长刘德音也有所透露。
在2021 年国际固态电路会议中，刘德音表示3nm的进展顺利，甚至比预期还要超前。3nm将于今年底左右开始试产 ，明年下半年进入到商业化生产。和5nm相比，台积电的3nm逻辑面积可以提高75%，效率提升15%，以及降低30%的功耗。
如果情况无误的话，台积电还需明年才能亮出3nm的产品，而三星已经在今年3月份就展示了3nm制程工艺的芯片。因此在进度上，双方有一定距离了。
另外在先进制程的目标方面，台积电的规划很明确。首先台积电今年的资本开支提升至280亿美元，用于扩产5nm和开发3nm。此前有产业链人士表示，台积电打算下半年把5nm的月产能从10.5万片提升至12万片晶圆。
其次在积极布局美国建厂计划，据台媒消息，台积电不只是计划建设一座5nm芯片厂，而是在美国建设6座5nm厂。如果建设完成，成为美国最大的晶圆代工企业不是问题。
芯片界的“洗牌”虽然台积电似乎在3nm进度上慢了半拍，可是台积电掌握的市场资源，芯片产能，甚至是最重要的EUV光刻机设备，都越超三星。
另外别忘了，即便三星掌握了3nm芯片制造工艺，若是没有客户的话，还是白搭。全球能设计出3nm芯片的客户寥寥无几。有希望做到这一点的苹果，和台积电的关系密切，大概率会把订单交给台积电。
这又是台积电的一大优势，所以三星的超车计划，还需要不断扩充客户。但至少可以确定的是，芯片界或将“洗牌”。从高端5nm迈向更先进的3nm，过程中展开的研发，较量都会投入巨大资源。
站在科技界的角度来看，相互竞争可以促进人类芯片工艺的发展。而站在商业的角度，谁能更胜一筹，三星又能否超车，就看各自的实力了。
总结台积电和三星分别是全球两大芯片代工巨头，均处于芯片制造界的天花板。双方都有各自的优势，台积电有客户、设备、市场，三星有全产业链的稳固地位。未来进入到3nm制程时代，谁主沉浮，就让我们拭目以待。
你认为三星能否超车呢？
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